دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
مقدمه:
ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل میشود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.
مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیشتر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.
کلمات کلیدی:
ترانزیستور
ترانزیستور ماسفت
ترانزیستور MOSFET
ترانزیستور اثر میدان
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز
فهرست مطالب
دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
ترانزیستور NMOS
ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.
اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
رابطه جریان و ولتاژ
افزایش ولتاژ VDS
اشباع ترانزیستور
جریان در ناحیه تریود
تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)
ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)
ترانزیستور CMOS
شمای ترانزیستور NMOS
مشخصه iD-VDS
مقاومت کانال
که مستقل از ولتاژ VDS است.
اثر محدود بودن مقاومت خروجی
رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS
مقاومت خروجی
اثر بدنه
اثر حرارت
(Weak avalanche)
مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC
استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده
روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET
به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویند
بایاس از طریق مقاومت فیدبک
بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت
نقطه بایاس DC
شرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع
جریان سیگنال در درین
گین ولتاژ
مدار معادل سیگنال کوچک
برای تحلیل مدار برای سیگنال کوچک
گین سیگنال کوچک
مقدار مقاومت ورودی
آنالیز DC
مدل T
تقویت کننده سورس مشترک
مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک
تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس
تقویت کننده گیت مشترک
مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک
مشخصات تقویت کننده گیت مشترک
مقدار مقاومت خروجی:
مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک
کاربرد تقویت کننده گیت مشترک
تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower
مدل سیگنال کوچک
عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ
بدست آوردن نقطه کار
مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS